合肥長(cháng)鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目H03工藝動(dòng)力系統包
發(fā)布日期:2020-07-17????瀏覽次數:182
項目名稱(chēng):長(cháng)鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目H03工藝動(dòng)力系統包
工作地點(diǎn):合肥經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區北區(空港經(jīng)濟示范區)蜀山區高劉鎮長(cháng)崗街道團肥路
建設單位:合肥長(cháng)鑫集成電路有限責任公司
建筑面積:總建筑面積 336835.30平方米
建筑層數:TB棟地上5層 、NB棟\MB棟\SB棟地上4層;建筑高度:38.9米
結構類(lèi)型:鋼混 框架剪力墻勁性結構
項目特殊性:生產(chǎn)12吋儲存芯片生產(chǎn)廠(chǎng)房
工程概要:H03包工藝動(dòng)力系統包 : 1)本工程含制程工藝排氣工程 2)工藝電力配電工程 3)大宗氣體工程 4)工藝排水系統工程 5)系統自控工程等
![](/uploads/allimg/200717/1-200GG35540952.jpg)
排氣工程
![](/uploads/allimg/200717/1-200GG3554S01.jpg)
排水
![](/uploads/allimg/200717/1-200GG35614249.jpg)
氣體系統管路
![](/uploads/allimg/200717/1-200GG3563C14.jpg)
電盤(pán)定位
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