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杭州立昂微電子股份有限公司

發(fā)布日期：2017-12-21????瀏覽次數：197

項目名稱(chēng)：杭州立昂微電子股份有限公司FAB-C1機電工程

杭州立昂東芯微電子有限公司FAB-D工程/杭州立昂東芯微電子有限公司含砷廢水工程

工作地點(diǎn)：杭州下沙經(jīng)濟開(kāi)發(fā)區20號大街199號

建設單位：杭州立昂微電子股份有限公司

建筑面積：15840 ㎡

簡(jiǎn)介：杭州立昂微電子股份有限公司位于杭州經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區內，之前主要生產(chǎn)功率器件。16年新增6英寸砷化鎵微波射頻電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)。

項目介紹：15年負責MOS生產(chǎn)線(xiàn)的無(wú)塵室，面積約為3000 ㎡

16年負責砷化鎵微波射頻電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)的無(wú)塵室,面積約為3000 ㎡